PT5B9BA - аналоги и даташиты транзистора

 

PT5B9BA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PT5B9BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 121 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 59 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1029 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для PT5B9BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PT5B9BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:218K  niko-sem
 pt5b9ba.pdf pdf_icon

PT5B9BA

P-Channel Enhancement Mode PT5B9BANIKO-SEM TO-220Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID2 -30V 5m -121A DGFeatures Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. S Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Applications

Другие MOSFET... PP9H06BV , PQ5G4JN , PQ5U2JN , PQ6S2JN , PQ6V2JN , PQ6X6JN , PR802BA33 , PR812BA33 , IRFB4115 , PT676BA , PT6J6BA , PV521BA , PV555BA , PV561BA , PV563BA , PV5G3EA , PV609CA .

History: FQD9N25TM | STT5N2VH5 | IPD50N04S4-08 | PV616DA | IXTH30N25 | FQD9N25TF

 

 
Back to Top

 


 
.