PT5B9BA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PT5B9BA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 121 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 59 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1029 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для PT5B9BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PT5B9BA даташит

 ..1. Size:218K  niko-sem
 pt5b9ba.pdf pdf_icon

PT5B9BA

P-Channel Enhancement Mode PT5B9BA NIKO-SEM TO-220 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID2 -30V 5m -121A D G Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. S Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Applications

Другие IGBT... PP9H06BV, PQ5G4JN, PQ5U2JN, PQ6S2JN, PQ6V2JN, PQ6X6JN, PR802BA33, PR812BA33, IRFB4115, PT676BA, PT6J6BA, PV521BA, PV555BA, PV561BA, PV563BA, PV5G3EA, PV609CA