PT6J6BA Todos los transistores

 

PT6J6BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PT6J6BA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 112 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 442 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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PT6J6BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:204K  niko-sem
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PT6J6BA

N-Channel Logic Level Enhancement PT6J6BANIKO-SEM Mode Field Effect Transistor TO-220Halogen-Free & Lead-FreePRODUCT SUMMARY DV(BR)DSS RDS(ON) ID 4m 40V 112A GFeatures Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. S Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. 1.GA

Otros transistores... PQ5U2JN , PQ6S2JN , PQ6V2JN , PQ6X6JN , PR802BA33 , PR812BA33 , PT5B9BA , PT676BA , IRFB4115 , PV521BA , PV555BA , PV561BA , PV563BA , PV5G3EA , PV609CA , PV616DA , PV6A4BA .

History: HUFA76633S3S | HUFA76645S3S | STP10NK60Z | HUFA76639S3S | IXFH30N60Q | NCEP25N10AG | WMK10N65EM

 

 
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