PT6J6BA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PT6J6BA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 112 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 442 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для PT6J6BA
PT6J6BA Datasheet (PDF)
pt6j6ba.pdf

N-Channel Logic Level Enhancement PT6J6BANIKO-SEM Mode Field Effect Transistor TO-220Halogen-Free & Lead-FreePRODUCT SUMMARY DV(BR)DSS RDS(ON) ID 4m 40V 112A GFeatures Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. S Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. 1.GA
Другие MOSFET... PQ5U2JN , PQ6S2JN , PQ6V2JN , PQ6X6JN , PR802BA33 , PR812BA33 , PT5B9BA , PT676BA , 2SK3878 , PV521BA , PV555BA , PV561BA , PV563BA , PV5G3EA , PV609CA , PV616DA , PV6A4BA .
History: PT5B9BA | PR802BA33 | CEB14N5 | PV616DA
History: PT5B9BA | PR802BA33 | CEB14N5 | PV616DA



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sd217 | bdw93c equivalent | cs7n60f | d613 transistor | fdmc8884 mosfet | k3569 mosfet equivalent | 2sa1370 | 4508nh mosfet