Справочник MOSFET. PT6J6BA

 

PT6J6BA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PT6J6BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 112 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 442 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для PT6J6BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PT6J6BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:204K  niko-sem
 pt6j6ba.pdf pdf_icon

PT6J6BA

N-Channel Logic Level Enhancement PT6J6BANIKO-SEM Mode Field Effect Transistor TO-220Halogen-Free & Lead-FreePRODUCT SUMMARY DV(BR)DSS RDS(ON) ID 4m 40V 112A GFeatures Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. S Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. 1.GA

Другие MOSFET... PQ5U2JN , PQ6S2JN , PQ6V2JN , PQ6X6JN , PR802BA33 , PR812BA33 , PT5B9BA , PT676BA , IRFB4115 , PV521BA , PV555BA , PV561BA , PV563BA , PV5G3EA , PV609CA , PV616DA , PV6A4BA .

History: NP100N04MUH | HAT1139H | NTMFS4854NS | ME200N04T-G | KI9926A

 

 
Back to Top

 


 
.