PT6J6BA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PT6J6BA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 112 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 442 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для PT6J6BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PT6J6BA даташит

 ..1. Size:204K  niko-sem
 pt6j6ba.pdf pdf_icon

PT6J6BA

N-Channel Logic Level Enhancement PT6J6BA NIKO-SEM Mode Field Effect Transistor TO-220 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D V(BR)DSS RDS(ON) ID 4m 40V 112A G Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. S Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. 1.GA

Другие IGBT... PQ5U2JN, PQ6S2JN, PQ6V2JN, PQ6X6JN, PR802BA33, PR812BA33, PT5B9BA, PT676BA, P55NF06, PV521BA, PV555BA, PV561BA, PV563BA, PV5G3EA, PV609CA, PV616DA, PV6A4BA