PV563BA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PV563BA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 255 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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PV563BA datasheet

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PV563BA

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PV563BA NIKO-SEM SOP-8 Field Effect Transistor Halogen-free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 15m -9.5A -40V G G GATE D DRAIN S SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -40 V Gate-Source Voltage VGS

Otros transistores... PR802BA33, PR812BA33, PT5B9BA, PT676BA, PT6J6BA, PV521BA, PV555BA, PV561BA, IRF630, PV5G3EA, PV609CA, PV616DA, PV6A4BA, PV6A6BA, PV6A8BA, PV6D2DA, PW567EA