PV563BA Todos los transistores

 

PV563BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PV563BA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 255 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

PV563BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:230K  niko-sem
 pv563ba.pdf pdf_icon

PV563BA

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PV563BANIKO-SEM SOP-8Field Effect Transistor Halogen-free & Lead-FreeDPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 15m -9.5A -40V GG : GATE D : DRAIN S : SOURCESABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS -40 VGate-Source Voltage VGS

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SSPL1090 | STI360N4F6 | STF34N65M5 | SI4451DY | IXTV230N85TS | IRFM1310ST | SHD219405

 

 
Back to Top

 


 
.