Справочник MOSFET. PV563BA

 

PV563BA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PV563BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 41.2 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 255 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для PV563BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PV563BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:230K  niko-sem
 pv563ba.pdf pdf_icon

PV563BA

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PV563BANIKO-SEM SOP-8Field Effect Transistor Halogen-free & Lead-FreeDPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 15m -9.5A -40V GG : GATE D : DRAIN S : SOURCESABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS -40 VGate-Source Voltage VGS

Другие MOSFET... PR802BA33 , PR812BA33 , PT5B9BA , PT676BA , PT6J6BA , PV521BA , PV555BA , PV561BA , 7N65 , PV5G3EA , PV609CA , PV616DA , PV6A4BA , PV6A6BA , PV6A8BA , PV6D2DA , PW567EA .

History: IRHM7230 | IPS60R1K0CE | FTK4822

 

 
Back to Top

 


 
.