PV563BA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PV563BA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 255 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для PV563BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PV563BA даташит

 ..1. Size:230K  niko-sem
 pv563ba.pdf pdf_icon

PV563BA

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PV563BA NIKO-SEM SOP-8 Field Effect Transistor Halogen-free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 15m -9.5A -40V G G GATE D DRAIN S SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -40 V Gate-Source Voltage VGS

Другие IGBT... PR802BA33, PR812BA33, PT5B9BA, PT676BA, PT6J6BA, PV521BA, PV555BA, PV561BA, IRF630, PV5G3EA, PV609CA, PV616DA, PV6A4BA, PV6A6BA, PV6A8BA, PV6D2DA, PW567EA