PV5G3EA Todos los transistores

 

PV5G3EA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PV5G3EA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 88 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 796 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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PV5G3EA Datasheet (PDF)

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PV5G3EA

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PV5G3EA NIKO-SEM SOP-8 Field Effect Transistor Halogen-free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 8m -15A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Produc

Otros transistores... PR812BA33 , PT5B9BA , PT676BA , PT6J6BA , PV521BA , PV555BA , PV561BA , PV563BA , K3569 , PV609CA , PV616DA , PV6A4BA , PV6A6BA , PV6A8BA , PV6D2DA , PW567EA , PW5D8EA .

History: PN5433 | MS13P21 | SUP85N03-07P | WMJ53N65F2 | SM1A00NSW | EMB12P03V | HUF75623S3ST

 

 
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