PV5G3EA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PV5G3EA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 88 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 796 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для PV5G3EA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PV5G3EA даташит

 ..1. Size:279K  niko-sem
 pv5g3ea.pdf pdf_icon

PV5G3EA

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PV5G3EA NIKO-SEM SOP-8 Field Effect Transistor Halogen-free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 8m -15A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Produc

Другие IGBT... PR812BA33, PT5B9BA, PT676BA, PT6J6BA, PV521BA, PV555BA, PV561BA, PV563BA, IRF9540, PV609CA, PV616DA, PV6A4BA, PV6A6BA, PV6A8BA, PV6D2DA, PW567EA, PW5D8EA