Справочник MOSFET. PV5G3EA

 

PV5G3EA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PV5G3EA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 119 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 88 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 796 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для PV5G3EA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PV5G3EA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:279K  niko-sem
 pv5g3ea.pdf pdf_icon

PV5G3EA

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PV5G3EA NIKO-SEM SOP-8 Field Effect Transistor Halogen-free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 8m -15A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Produc

Другие MOSFET... PR812BA33 , PT5B9BA , PT676BA , PT6J6BA , PV521BA , PV555BA , PV561BA , PV563BA , K3569 , PV609CA , PV616DA , PV6A4BA , PV6A6BA , PV6A8BA , PV6D2DA , PW567EA , PW5D8EA .

History: IRFF9232 | 5N65AF

 

 
Back to Top

 


 
.