PV6A4BA Todos los transistores

 

PV6A4BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PV6A4BA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 17 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

 Búsqueda de reemplazo de PV6A4BA MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PV6A4BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:357K  niko-sem
 pv6a4ba.pdf pdf_icon

PV6A4BA

PV6A4BA N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM SOP-8 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G40V 14m 7.8A G: GATE D: DRAIN S: SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 40 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TA = 25

Otros transistores... PT6J6BA , PV521BA , PV555BA , PV561BA , PV563BA , PV5G3EA , PV609CA , PV616DA , 12N60 , PV6A6BA , PV6A8BA , PV6D2DA , PW567EA , PW5D8EA , PW5S6EA , PX567EA , PX567JZ .

History: LNG06R110 | UTT80N10 | SMK1360FD | BUK445-200B | IRF152

 

 
Back to Top

 


 
.