PV6A4BA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PV6A4BA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для PV6A4BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PV6A4BA даташит

 ..1. Size:357K  niko-sem
 pv6a4ba.pdf pdf_icon

PV6A4BA

PV6A4BA N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM SOP-8 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 40V 14m 7.8A G GATE D DRAIN S SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 40 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TA = 25

Другие IGBT... PT6J6BA, PV521BA, PV555BA, PV561BA, PV563BA, PV5G3EA, PV609CA, PV616DA, STP75NF75, PV6A6BA, PV6A8BA, PV6D2DA, PW567EA, PW5D8EA, PW5S6EA, PX567EA, PX567JZ