Справочник MOSFET. PV6A4BA

 

PV6A4BA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PV6A4BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для PV6A4BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PV6A4BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:357K  niko-sem
 pv6a4ba.pdf pdf_icon

PV6A4BA

PV6A4BA N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM SOP-8 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G40V 14m 7.8A G: GATE D: DRAIN S: SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 40 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TA = 25

Другие MOSFET... PT6J6BA , PV521BA , PV555BA , PV561BA , PV563BA , PV5G3EA , PV609CA , PV616DA , 12N60 , PV6A6BA , PV6A8BA , PV6D2DA , PW567EA , PW5D8EA , PW5S6EA , PX567EA , PX567JZ .

History: AO4458 | SSN1N45B

 

 
Back to Top

 


 
.