PV6A8BA Todos los transistores

 

PV6A8BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PV6A8BA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 53 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 271 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

 Búsqueda de reemplazo de PV6A8BA MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PV6A8BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:244K  niko-sem
 pv6a8ba.pdf pdf_icon

PV6A8BA

PV6A8BA N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM SOP-8 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G40V 7m 12.4A G: GATE D: DRAIN S: SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 40 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TA = 25

Otros transistores... PV555BA , PV561BA , PV563BA , PV5G3EA , PV609CA , PV616DA , PV6A4BA , PV6A6BA , K4145 , PV6D2DA , PW567EA , PW5D8EA , PW5S6EA , PX567EA , PX567JZ , PX5D8EA , PX5D8JZ-T .

History: SQS405EN | STB14NK60Z | TSM2302CX | SFFC50M | GSM9971B

 

 
Back to Top

 


 
.