PV6A8BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PV6A8BA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 53 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 271 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de PV6A8BA MOSFET
PV6A8BA Datasheet (PDF)
pv6a8ba.pdf

PV6A8BA N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM SOP-8 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G40V 7m 12.4A G: GATE D: DRAIN S: SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 40 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TA = 25
Otros transistores... PV555BA , PV561BA , PV563BA , PV5G3EA , PV609CA , PV616DA , PV6A4BA , PV6A6BA , IRF1010E , PV6D2DA , PW567EA , PW5D8EA , PW5S6EA , PX567EA , PX567JZ , PX5D8EA , PX5D8JZ-T .
History: IRL520L | SPP11N80C3 | SWB7N65DW
History: IRL520L | SPP11N80C3 | SWB7N65DW



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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