PV6A8BA - аналоги и даташиты транзистора

 

PV6A8BA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PV6A8BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 271 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для PV6A8BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PV6A8BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:244K  niko-sem
 pv6a8ba.pdf pdf_icon

PV6A8BA

PV6A8BA N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM SOP-8 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G40V 7m 12.4A G: GATE D: DRAIN S: SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 40 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TA = 25

Другие MOSFET... PV555BA , PV561BA , PV563BA , PV5G3EA , PV609CA , PV616DA , PV6A4BA , PV6A6BA , IRF1010E , PV6D2DA , PW567EA , PW5D8EA , PW5S6EA , PX567EA , PX567JZ , PX5D8EA , PX5D8JZ-T .

History: AONS66607 | SWN6N65K | TK10A60W | NCEP018N60 | IPW60R165CP | NP80N03CDE | IXFL30N120P

 

 
Back to Top

 


 
.