PZ5D8JZ Todos los transistores

 

PZ5D8JZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PZ5D8JZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.31 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.78 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 19 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363
 

 Búsqueda de reemplazo de PZ5D8JZ MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PZ5D8JZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:705K  niko-sem
 pz5d8jz.pdf pdf_icon

PZ5D8JZ

Dual N-Channel Logic Level PZ5D8JZ NIKO-SEM Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-363 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY 1 2 V(BR)DSS RDS(ON) ID 20V 300m 0.78A 1 2 1 2 Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize S

 9.1. Size:403K  niko-sem
 pz5d8ea.pdf pdf_icon

PZ5D8JZ

N-Channel Logic Level Enhancement PZ5D8EA NIKO-SEM Mode Field Effect Transistor SOT-323 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20V 300m 0.84A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. ESD

Otros transistores... PX5D8EA , PX5D8JZ-T , PX5S6EA , PX5S6JZ , PX607UZ , PZ5203EMAA , PZ567JZ , PZ5D8EA , AON7506 , PZ5G7EA , PZ5S6EA , PZ5S6JZ , PZ607UZ , PZC010BL , PZC010HK , PZF010HK , SJMN030R60SCW .

History: TJ15S10M3 | STI24NM60N

 

 
Back to Top

 


 
.