Справочник MOSFET. PZ5D8JZ

 

PZ5D8JZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PZ5D8JZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.78 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363
 

 Аналог (замена) для PZ5D8JZ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PZ5D8JZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:705K  niko-sem
 pz5d8jz.pdf pdf_icon

PZ5D8JZ

Dual N-Channel Logic Level PZ5D8JZ NIKO-SEM Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-363 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY 1 2 V(BR)DSS RDS(ON) ID 20V 300m 0.78A 1 2 1 2 Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize S

 9.1. Size:403K  niko-sem
 pz5d8ea.pdf pdf_icon

PZ5D8JZ

N-Channel Logic Level Enhancement PZ5D8EA NIKO-SEM Mode Field Effect Transistor SOT-323 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20V 300m 0.84A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. ESD

Другие MOSFET... PX5D8EA , PX5D8JZ-T , PX5S6EA , PX5S6JZ , PX607UZ , PZ5203EMAA , PZ567JZ , PZ5D8EA , AON7506 , PZ5G7EA , PZ5S6EA , PZ5S6JZ , PZ607UZ , PZC010BL , PZC010HK , PZF010HK , SJMN030R60SCW .

History: APT17N80SC3 | STFI13NM60N | HFW50N06 | WMO07N65C4 | 2SK1796 | SE10030A | TK100A10N1

 

 
Back to Top

 


 
.