PZ5D8JZ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PZ5D8JZ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.78 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: SOT-363

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PZ5D8JZ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PZ5D8JZ даташит

 ..1. Size:705K  niko-sem
 pz5d8jz.pdf pdf_icon

PZ5D8JZ

Dual N-Channel Logic Level PZ5D8JZ NIKO-SEM Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-363 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY 1 2 V(BR)DSS RDS(ON) ID 20V 300m 0.78A 1 2 1 2 Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize S

 9.1. Size:403K  niko-sem
 pz5d8ea.pdf pdf_icon

PZ5D8JZ

N-Channel Logic Level Enhancement PZ5D8EA NIKO-SEM Mode Field Effect Transistor SOT-323 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20V 300m 0.84A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. ESD

Другие IGBT... PX5D8EA, PX5D8JZ-T, PX5S6EA, PX5S6JZ, PX607UZ, PZ5203EMAA, PZ567JZ, PZ5D8EA, AON7506, PZ5G7EA, PZ5S6EA, PZ5S6JZ, PZ607UZ, PZC010BL, PZC010HK, PZF010HK, SJMN030R60SCW