PZC010BL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PZC010BL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6.3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 33 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.295 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PZC010BL

PZC010BL Datasheet (PDF)

..1. Size:263K niko-sem
pzc010bl.pdf

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8.1. Size:303K niko-sem
pzc010hk.pdf

Dual N-Channel Enhancement Mode PZC010HK NIKO-SEM PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D1 D1 D2 D2V(BR)DSS RDS(ON) ID Drain Drain100V 295m 4.7A Gate GateG. GATE D. DRAIN S. SOURCE Source Source#1 S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drai

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