Справочник MOSFET. PZC010BL

 

PZC010BL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PZC010BL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.295 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PZC010BL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:263K  niko-sem
 pzc010bl.pdf pdf_icon

PZC010BL

PZC010BL N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM SOT-223 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 100V 295m 2.2A 1. GATE ESD Protected Gate 2. DRAIN 3. SOURCE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 16 V TA = 25 C 2.2 Continu

 8.1. Size:303K  niko-sem
 pzc010hk.pdf pdf_icon

PZC010BL

Dual N-Channel Enhancement Mode PZC010HK NIKO-SEM PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D1 D1 D2 D2V(BR)DSS RDS(ON) ID Drain Drain100V 295m 4.7A Gate GateG. GATE D. DRAIN S. SOURCE Source Source#1 S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drai

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: AUIRF1324S | FHD50N06A | PE5Q8JZ | NTD5804N | AM30N06-39IE | IXTA160N075T7 | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.