Справочник MOSFET. PZC010BL

 

PZC010BL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PZC010BL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.295 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223
 

 Аналог (замена) для PZC010BL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PZC010BL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:263K  niko-sem
 pzc010bl.pdf pdf_icon

PZC010BL

PZC010BL N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM SOT-223 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 100V 295m 2.2A 1. GATE ESD Protected Gate 2. DRAIN 3. SOURCE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 16 V TA = 25 C 2.2 Continu

 8.1. Size:303K  niko-sem
 pzc010hk.pdf pdf_icon

PZC010BL

Dual N-Channel Enhancement Mode PZC010HK NIKO-SEM PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D1 D1 D2 D2V(BR)DSS RDS(ON) ID Drain Drain100V 295m 4.7A Gate GateG. GATE D. DRAIN S. SOURCE Source Source#1 S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drai

Другие MOSFET... PZ5203EMAA , PZ567JZ , PZ5D8EA , PZ5D8JZ , PZ5G7EA , PZ5S6EA , PZ5S6JZ , PZ607UZ , IRFP250 , PZC010HK , PZF010HK , SJMN030R60SCW , SJMN041R65SW , SJMN041RH65SW , SJMN065R65W , SJMN070R60SW , SJMN074R65SW .

History: LNF7N65D | STP7NK80ZFP | KX8N60C | STH140N6F7 | APT1003RBFLLG | 2N6660CSM4 | SM2A04NSV

 

 
Back to Top

 


 
.