PZF010HK Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PZF010HK  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 10.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.59 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6P

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PZF010HK datasheet

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PZF010HK

Dual N-Channel Enhancement Mode PZF010HK NIKO-SEM PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D1 D1 D2 D2 V(BR)DSS RDS(ON) ID Drain Drain 100V 590m 2.7A Gate Gate G. GATE D. DRAIN S. SOURCE Source Source #1 S1 G1 S2 G2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drai

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