PZF010HK Todos los transistores

 

PZF010HK MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PZF010HK
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 10.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.59 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6P
 

 Búsqueda de reemplazo de PZF010HK MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PZF010HK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:290K  niko-sem
 pzf010hk.pdf pdf_icon

PZF010HK

Dual N-Channel Enhancement Mode PZF010HK NIKO-SEM PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D1 D1 D2 D2V(BR)DSS RDS(ON) ID Drain Drain100V 590m 2.7A Gate GateG. GATE D. DRAIN S. SOURCE Source Source#1 S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drai

Otros transistores... PZ5D8EA , PZ5D8JZ , PZ5G7EA , PZ5S6EA , PZ5S6JZ , PZ607UZ , PZC010BL , PZC010HK , IRF1407 , SJMN030R60SCW , SJMN041R65SW , SJMN041RH65SW , SJMN065R65W , SJMN070R60SW , SJMN074R65SW , SJMN074RH65SW , SJMN088R65F .

History: JCS12N65CT | SRM4N60TF

 

 
Back to Top

 


 
.