Справочник MOSFET. PZF010HK

 

PZF010HK Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PZF010HK
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 10.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.59 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6P
 

 Аналог (замена) для PZF010HK

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PZF010HK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:290K  niko-sem
 pzf010hk.pdf pdf_icon

PZF010HK

Dual N-Channel Enhancement Mode PZF010HK NIKO-SEM PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D1 D1 D2 D2V(BR)DSS RDS(ON) ID Drain Drain100V 590m 2.7A Gate GateG. GATE D. DRAIN S. SOURCE Source Source#1 S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drai

Другие MOSFET... PZ5D8EA , PZ5D8JZ , PZ5G7EA , PZ5S6EA , PZ5S6JZ , PZ607UZ , PZC010BL , PZC010HK , IRF1407 , SJMN030R60SCW , SJMN041R65SW , SJMN041RH65SW , SJMN065R65W , SJMN070R60SW , SJMN074R65SW , SJMN074RH65SW , SJMN088R65F .

History: IRF650AP | NCE3080IA | JMH70R430AF | SRM2N60 | APT14050JVFR | JBE083NS | IPI032N06N3G

 

 
Back to Top

 


 
.