PZF010HK - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PZF010HK
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 10.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.59 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6P
Аналог (замена) для PZF010HK
PZF010HK Datasheet (PDF)
pzf010hk.pdf

Dual N-Channel Enhancement Mode PZF010HK NIKO-SEM PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D1 D1 D2 D2V(BR)DSS RDS(ON) ID Drain Drain100V 590m 2.7A Gate GateG. GATE D. DRAIN S. SOURCE Source Source#1 S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drai
Другие MOSFET... PZ5D8EA , PZ5D8JZ , PZ5G7EA , PZ5S6EA , PZ5S6JZ , PZ607UZ , PZC010BL , PZC010HK , 20N50 , SJMN030R60SCW , SJMN041R65SW , SJMN041RH65SW , SJMN065R65W , SJMN070R60SW , SJMN074R65SW , SJMN074RH65SW , SJMN088R65F .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APG60N10S | APG120N04NF | AP8G06S | AP6P04S | AP6G03S | AP65N06DF | AP65N06D | AP4957A | AP15H06S | AP10G04S | AP90N08NF | AP8P06S | AP4G02LI | AP4606B | AP3P06MI | AP2302AI
Popular searches
2sa750 replacement | 2sc984 replacement | a1046 transistor | hy19p03 | 2sk2749 | c2577 transistor | k3563 transistor | 2sc1775 datasheet