PZF010HK datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PZF010HK  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 10.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.59 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PZF010HK

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PZF010HK даташит

 ..1. Size:290K  niko-sem
 pzf010hk.pdf pdf_icon

PZF010HK

Dual N-Channel Enhancement Mode PZF010HK NIKO-SEM PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D1 D1 D2 D2 V(BR)DSS RDS(ON) ID Drain Drain 100V 590m 2.7A Gate Gate G. GATE D. DRAIN S. SOURCE Source Source #1 S1 G1 S2 G2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drai

Другие IGBT... PZ5D8EA, PZ5D8JZ, PZ5G7EA, PZ5S6EA, PZ5S6JZ, PZ607UZ, PZC010BL, PZC010HK, NCEP15T14, SJMN030R60SCW, SJMN041R65SW, SJMN041RH65SW, SJMN065R65W, SJMN070R60SW, SJMN074R65SW, SJMN074RH65SW, SJMN088R65F