SJMN850R80ZD Todos los transistores

 

SJMN850R80ZD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SJMN850R80ZD
   Código: SJMN850R80Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 66 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 15 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 48 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 16 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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SJMN850R80ZD Datasheet (PDF)

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SJMN850R80ZD

SJMN850R80ZD Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage: V =850V (@T =150C) DS JD Low drain-source On resistance: R =0.85 (Max.) DS(on) Built-in ESD Diode RoHS compliant and Halogen free device 100% avalanche tested G S Ordering Information TO-252 Part Number Marking Package SJMN850R80ZD SJMN850R8

 3.1. Size:642K  auk
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SJMN850R80ZD

SJMN850R80ZF Super Junction MOSFET 800V N-Channel Super Junction MOSFET Features Very Low FOM (R X Q ) DS(on) g Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity 100% avalanche tested Built-in ESD Diode G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marking Package SJMN850R80ZF N850R80Z TO-220F-3L Marking Information Column 1:

Otros transistores... SJMN600R70D , SJMN600R70I , SJMN600R70MD , SJMN600R70MF , SJMN600R70ZD , SJMN600R70ZF , SJMN670R80ZD , SJMN670R80ZF , IRFB4227 , SJMN850R80ZF , SMK0260DN , SMK0260F , SMK0260I , SMK0460D , SMK0465I , SMK0760F , SMK0780F .

History: SFP055N80C2 | RCX220N25 | MTB3D0N03BH8 | CRST055N08N | WMP07N60C4 | SFP052N80BI3

 

 
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