Справочник MOSFET. SJMN850R80ZD

 

SJMN850R80ZD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SJMN850R80ZD
   Маркировка: SJMN850R80Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 66 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для SJMN850R80ZD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SJMN850R80ZD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:692K  auk
 sjmn850r80zd.pdf pdf_icon

SJMN850R80ZD

SJMN850R80ZD Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage: V =850V (@T =150C) DS JD Low drain-source On resistance: R =0.85 (Max.) DS(on) Built-in ESD Diode RoHS compliant and Halogen free device 100% avalanche tested G S Ordering Information TO-252 Part Number Marking Package SJMN850R80ZD SJMN850R8

 3.1. Size:642K  auk
 sjmn850r80zf.pdf pdf_icon

SJMN850R80ZD

SJMN850R80ZF Super Junction MOSFET 800V N-Channel Super Junction MOSFET Features Very Low FOM (R X Q ) DS(on) g Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity 100% avalanche tested Built-in ESD Diode G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marking Package SJMN850R80ZF N850R80Z TO-220F-3L Marking Information Column 1:

Другие MOSFET... SJMN600R70D , SJMN600R70I , SJMN600R70MD , SJMN600R70MF , SJMN600R70ZD , SJMN600R70ZF , SJMN670R80ZD , SJMN670R80ZF , IRFB4227 , SJMN850R80ZF , SMK0260DN , SMK0260F , SMK0260I , SMK0460D , SMK0465I , SMK0760F , SMK0780F .

History: MTB30P06VT4 | HSL0004 | WSD2054DN22 | WMT04P06TS | CRTS030N04L | SWD10N65K2

 

 
Back to Top

 


 
.