Справочник MOSFET. SJMN850R80ZD

 

SJMN850R80ZD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SJMN850R80ZD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 66 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 48 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SJMN850R80ZD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:692K  auk
 sjmn850r80zd.pdf pdf_icon

SJMN850R80ZD

SJMN850R80ZD Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage: V =850V (@T =150C) DS JD Low drain-source On resistance: R =0.85 (Max.) DS(on) Built-in ESD Diode RoHS compliant and Halogen free device 100% avalanche tested G S Ordering Information TO-252 Part Number Marking Package SJMN850R80ZD SJMN850R8

 3.1. Size:642K  auk
 sjmn850r80zf.pdf pdf_icon

SJMN850R80ZD

SJMN850R80ZF Super Junction MOSFET 800V N-Channel Super Junction MOSFET Features Very Low FOM (R X Q ) DS(on) g Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity 100% avalanche tested Built-in ESD Diode G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marking Package SJMN850R80ZF N850R80Z TO-220F-3L Marking Information Column 1:

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: 4N65L-TF2-T | BRCS400P03SC | VBM2658 | PE5E6BA | WMN16N70SR | TPP60R840C | HM15P10D

 

 
Back to Top

 


 
.