SJMN850R80ZF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SJMN850R80ZF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 29 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 48 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 16 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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SJMN850R80ZF datasheet

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SJMN850R80ZF

SJMN850R80ZF Super Junction MOSFET 800V N-Channel Super Junction MOSFET Features Very Low FOM (R X Q ) DS(on) g Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity 100% avalanche tested Built-in ESD Diode G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marking Package SJMN850R80ZF N850R80Z TO-220F-3L Marking Information Column 1

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SJMN850R80ZF

SJMN850R80ZD Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage V =850V (@T =150 C) DS J D Low drain-source On resistance R =0.85 (Max.) DS(on) Built-in ESD Diode RoHS compliant and Halogen free device 100% avalanche tested G S Ordering Information TO-252 Part Number Marking Package SJMN850R80ZD SJMN850R8

Otros transistores... SJMN600R70I, SJMN600R70MD, SJMN600R70MF, SJMN600R70ZD, SJMN600R70ZF, SJMN670R80ZD, SJMN670R80ZF, SJMN850R80ZD, AON6414A, SMK0260DN, SMK0260F, SMK0260I, SMK0460D, SMK0465I, SMK0760F, SMK0780F, SMK1040F