SJMN850R80ZF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SJMN850R80ZF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для SJMN850R80ZF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SJMN850R80ZF даташит

 ..1. Size:642K  auk
 sjmn850r80zf.pdf pdf_icon

SJMN850R80ZF

SJMN850R80ZF Super Junction MOSFET 800V N-Channel Super Junction MOSFET Features Very Low FOM (R X Q ) DS(on) g Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity 100% avalanche tested Built-in ESD Diode G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marking Package SJMN850R80ZF N850R80Z TO-220F-3L Marking Information Column 1

 3.1. Size:692K  auk
 sjmn850r80zd.pdf pdf_icon

SJMN850R80ZF

SJMN850R80ZD Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage V =850V (@T =150 C) DS J D Low drain-source On resistance R =0.85 (Max.) DS(on) Built-in ESD Diode RoHS compliant and Halogen free device 100% avalanche tested G S Ordering Information TO-252 Part Number Marking Package SJMN850R80ZD SJMN850R8

Другие IGBT... SJMN600R70I, SJMN600R70MD, SJMN600R70MF, SJMN600R70ZD, SJMN600R70ZF, SJMN670R80ZD, SJMN670R80ZF, SJMN850R80ZD, AON6414A, SMK0260DN, SMK0260F, SMK0260I, SMK0460D, SMK0465I, SMK0760F, SMK0780F, SMK1040F