SMN630LD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SMN630LD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 79 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 84 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.44 Ohm

Encapsulados: TO-252

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SMN630LD datasheet

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SMN630LD

SMN630LD Logic Level N-Ch Power MOSFET 200V LOGIC N-Channel MOSFET Features Drain-Source breakdown voltage BV =200V (Min.) DSS Low gate charge Q =12nC (Typ.) g Low drain-source On-Resistance R =0.34 (Typ.) DS(on) D 100% avalanche tested RoHS compliant device Ordering Information G S Part Number Marking Package TO-252 SMN630LD SMN630L TO-

Otros transistores... SMK0460D, SMK0465I, SMK0760F, SMK0780F, SMK1040F, SMK1065F, SMN03T80I, SMN0665FD, 2N7002, SNA3100L10NL, SNA3100L10NN, SNN055N085D, SNN060L10F, SNN060L10NL, SNN10R10LD, SNN10R10LF, SNN1120L10Q