Справочник MOSFET. SMN630LD

 

SMN630LD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SMN630LD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 79 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 84 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.44 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для SMN630LD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SMN630LD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:680K  auk
 smn630ld.pdf pdf_icon

SMN630LD

SMN630LD Logic Level N-Ch Power MOSFET 200V LOGIC N-Channel MOSFET Features Drain-Source breakdown voltage: BV =200V (Min.) DSS Low gate charge: Q =12nC (Typ.) g Low drain-source On-Resistance: R =0.34 (Typ.) DS(on)D 100% avalanche tested RoHS compliant device Ordering Information G S Part Number Marking Package TO-252 SMN630LD SMN630L TO-

Другие MOSFET... SMK0460D , SMK0465I , SMK0760F , SMK0780F , SMK1040F , SMK1065F , SMN03T80I , SMN0665FD , K4145 , SNA3100L10NL , SNA3100L10NN , SNN055N085D , SNN060L10F , SNN060L10NL , SNN10R10LD , SNN10R10LF , SNN1120L10Q .

History: IPL65R190E6

 

 
Back to Top

 


 
.