SMN630LD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SMN630LD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 79 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 84 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.44 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для SMN630LD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SMN630LD даташит

 ..1. Size:680K  auk
 smn630ld.pdf pdf_icon

SMN630LD

SMN630LD Logic Level N-Ch Power MOSFET 200V LOGIC N-Channel MOSFET Features Drain-Source breakdown voltage BV =200V (Min.) DSS Low gate charge Q =12nC (Typ.) g Low drain-source On-Resistance R =0.34 (Typ.) DS(on) D 100% avalanche tested RoHS compliant device Ordering Information G S Part Number Marking Package TO-252 SMN630LD SMN630L TO-

Другие IGBT... SMK0460D, SMK0465I, SMK0760F, SMK0780F, SMK1040F, SMK1065F, SMN03T80I, SMN0665FD, 2N7002, SNA3100L10NL, SNA3100L10NN, SNN055N085D, SNN060L10F, SNN060L10NL, SNN10R10LD, SNN10R10LF, SNN1120L10Q