Справочник MOSFET. SMN630LD

 

SMN630LD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SMN630LD
   Маркировка: SMN630L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC
   trⓘ - Время нарастания: 79 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 84 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.44 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SMN630LD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:680K  auk
 smn630ld.pdf pdf_icon

SMN630LD

SMN630LD Logic Level N-Ch Power MOSFET 200V LOGIC N-Channel MOSFET Features Drain-Source breakdown voltage: BV =200V (Min.) DSS Low gate charge: Q =12nC (Typ.) g Low drain-source On-Resistance: R =0.34 (Typ.) DS(on)D 100% avalanche tested RoHS compliant device Ordering Information G S Part Number Marking Package TO-252 SMN630LD SMN630L TO-

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.