SMN630LD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SMN630LD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 79 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 84 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.44 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для SMN630LD
SMN630LD Datasheet (PDF)
smn630ld.pdf

SMN630LD Logic Level N-Ch Power MOSFET 200V LOGIC N-Channel MOSFET Features Drain-Source breakdown voltage: BV =200V (Min.) DSS Low gate charge: Q =12nC (Typ.) g Low drain-source On-Resistance: R =0.34 (Typ.) DS(on)D 100% avalanche tested RoHS compliant device Ordering Information G S Part Number Marking Package TO-252 SMN630LD SMN630L TO-
Другие MOSFET... SMK0460D , SMK0465I , SMK0760F , SMK0780F , SMK1040F , SMK1065F , SMN03T80I , SMN0665FD , K4145 , SNA3100L10NL , SNA3100L10NN , SNN055N085D , SNN060L10F , SNN060L10NL , SNN10R10LD , SNN10R10LF , SNN1120L10Q .
History: IPL65R190E6
History: IPL65R190E6



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
irf640n | 2n3904 | bc547 datasheet | k3797 mosfet | bs170 datasheet | tip41c | irfp460 | irfz44n mosfet