SMN630LD - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SMN630LD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 79 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 84 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.44 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для SMN630LD
SMN630LD Datasheet (PDF)
smn630ld.pdf
SMN630LD Logic Level N-Ch Power MOSFET 200V LOGIC N-Channel MOSFET Features Drain-Source breakdown voltage: BV =200V (Min.) DSS Low gate charge: Q =12nC (Typ.) g Low drain-source On-Resistance: R =0.34 (Typ.) DS(on)D 100% avalanche tested RoHS compliant device Ordering Information G S Part Number Marking Package TO-252 SMN630LD SMN630L TO-
Другие MOSFET... SMK0460D , SMK0465I , SMK0760F , SMK0780F , SMK1040F , SMK1065F , SMN03T80I , SMN0665FD , 2N7002 , SNA3100L10NL , SNA3100L10NN , SNN055N085D , SNN060L10F , SNN060L10NL , SNN10R10LD , SNN10R10LF , SNN1120L10Q .
History: SNA3100L10NL
History: SNA3100L10NL
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM40P26S | AGM40P26E | AGM40P26AP | AGM40P25AP | AGM40P25A | AGM40P150C | AGM40P13S | AGM40P100H | AGM40P100C | AGM40P100A | AGM409D | AGM409A | AGM408MN | AGM408M | AGM406Q | AGM610MN
Popular searches
irf640n | 2n3904 | bc547 datasheet | k3797 mosfet | bs170 datasheet | tip41c | irfp460 | irfz44n mosfet


