SNA3100L10NL Todos los transistores

 

SNA3100L10NL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SNA3100L10NL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.32 Ohm
   Paquete / Cubierta: TESOP-8
 

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SNA3100L10NL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:596K  auk
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SNA3100L10NL

SNA3100L10NL Dual N-Ch Enhancement Mode MOSFET Logic Level Gate Drive Application Features Low On-state resistance: 310m at V = 10V, I = 2A GS D Low gate charge: Q = 7nC (Typ.) at V = 10V g GS High performance trench technology Halogen free and RoHS compliant device Ordering Information Part Number Marking Package TESOP-8 SNA3100L10NL 3100L10 (DFN 5x

 3.1. Size:474K  auk
 sna3100l10nn.pdf pdf_icon

SNA3100L10NL

SNA3100L10NN Dual N-Ch Enhancement Mode MOSFET Logic Level Gate Drive Application Features Low On-state resistance: 310m at V = 10V, I = 2A GS D Low gate charge: Q = 7nC(Typ.) at V = 10V g GS High performance trench technology Halogen free and RoHS compliant device Ordering Information Part Number Marking Package TESOP-8M SNA3100L10NN 3100L10 (DFN 3x

Otros transistores... SMK0465I , SMK0760F , SMK0780F , SMK1040F , SMK1065F , SMN03T80I , SMN0665FD , SMN630LD , IRF1010E , SNA3100L10NN , SNN055N085D , SNN060L10F , SNN060L10NL , SNN10R10LD , SNN10R10LF , SNN1120L10Q , SNN1530NL .

History: RU30L30M3 | RCX220N25 | SFP055N80C2 | MTB3D0N03BH8 | CRST055N08N | WMP07N60C4 | FDB1D7N10CL7

 

 
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