Справочник MOSFET. SNA3100L10NL

 

SNA3100L10NL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SNA3100L10NL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.32 Ohm
   Тип корпуса: TESOP-8
 

 Аналог (замена) для SNA3100L10NL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SNA3100L10NL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:596K  auk
 sna3100l10nl.pdf pdf_icon

SNA3100L10NL

SNA3100L10NL Dual N-Ch Enhancement Mode MOSFET Logic Level Gate Drive Application Features Low On-state resistance: 310m at V = 10V, I = 2A GS D Low gate charge: Q = 7nC (Typ.) at V = 10V g GS High performance trench technology Halogen free and RoHS compliant device Ordering Information Part Number Marking Package TESOP-8 SNA3100L10NL 3100L10 (DFN 5x

 3.1. Size:474K  auk
 sna3100l10nn.pdf pdf_icon

SNA3100L10NL

SNA3100L10NN Dual N-Ch Enhancement Mode MOSFET Logic Level Gate Drive Application Features Low On-state resistance: 310m at V = 10V, I = 2A GS D Low gate charge: Q = 7nC(Typ.) at V = 10V g GS High performance trench technology Halogen free and RoHS compliant device Ordering Information Part Number Marking Package TESOP-8M SNA3100L10NN 3100L10 (DFN 3x

Другие MOSFET... SMK0465I , SMK0760F , SMK0780F , SMK1040F , SMK1065F , SMN03T80I , SMN0665FD , SMN630LD , IRF1010E , SNA3100L10NN , SNN055N085D , SNN060L10F , SNN060L10NL , SNN10R10LD , SNN10R10LF , SNN1120L10Q , SNN1530NL .

History: MTB30P06VT4 | HSL0004 | WSD2054DN22 | WMT04P06TS | SWD10N65K2 | CRTS030N04L

 

 
Back to Top

 


 
.