SNN055N085D Todos los transistores

 

SNN055N085D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SNN055N085D
   Código: SNN055N085
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 148 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 82 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1391 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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SNN055N085D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:708K  auk
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SNN055N085D

SNN055N085D N-Ch Trench MOSFET Power Switching Application Features Drain-source breakdown voltage: BV =85V DSS Low gate charge device D Low drain-source On resistance: R =5.5m (Max.) DS(on) Advanced trench process technology High avalanche energy, 100% test G S Ordering Information TO-252 Part Number Marking Package SNN055N085D SNN055N085 T

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