Справочник MOSFET. SNN055N085D

 

SNN055N085D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SNN055N085D
   Маркировка: SNN055N085
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 148 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 82 nC
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1391 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SNN055N085D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:708K  auk
 snn055n085d.pdf pdf_icon

SNN055N085D

SNN055N085D N-Ch Trench MOSFET Power Switching Application Features Drain-source breakdown voltage: BV =85V DSS Low gate charge device D Low drain-source On resistance: R =5.5m (Max.) DS(on) Advanced trench process technology High avalanche energy, 100% test G S Ordering Information TO-252 Part Number Marking Package SNN055N085D SNN055N085 T

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.