SNN055N085D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SNN055N085D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 148 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1391 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для SNN055N085D
SNN055N085D Datasheet (PDF)
snn055n085d.pdf

SNN055N085D N-Ch Trench MOSFET Power Switching Application Features Drain-source breakdown voltage: BV =85V DSS Low gate charge device D Low drain-source On resistance: R =5.5m (Max.) DS(on) Advanced trench process technology High avalanche energy, 100% test G S Ordering Information TO-252 Part Number Marking Package SNN055N085D SNN055N085 T
Другие MOSFET... SMK0780F , SMK1040F , SMK1065F , SMN03T80I , SMN0665FD , SMN630LD , SNA3100L10NL , SNA3100L10NN , 5N60 , SNN060L10F , SNN060L10NL , SNN10R10LD , SNN10R10LF , SNN1120L10Q , SNN1530NL , SNN1830NL , SNN200L10D .
History: CS13N65P | SI7898DP | 38N10A | STP11NB40 | AOC3870A | PTF12N90 | TPA60R170MFD
History: CS13N65P | SI7898DP | 38N10A | STP11NB40 | AOC3870A | PTF12N90 | TPA60R170MFD



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
k3797 mosfet | bs170 datasheet | tip41c | irfp460 | irfz44n mosfet | lm317t datasheet | irf540 | bc337