Справочник MOSFET. SNN055N085D

 

SNN055N085D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SNN055N085D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 148 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1391 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для SNN055N085D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SNN055N085D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:708K  auk
 snn055n085d.pdf pdf_icon

SNN055N085D

SNN055N085D N-Ch Trench MOSFET Power Switching Application Features Drain-source breakdown voltage: BV =85V DSS Low gate charge device D Low drain-source On resistance: R =5.5m (Max.) DS(on) Advanced trench process technology High avalanche energy, 100% test G S Ordering Information TO-252 Part Number Marking Package SNN055N085D SNN055N085 T

Другие MOSFET... SMK0780F , SMK1040F , SMK1065F , SMN03T80I , SMN0665FD , SMN630LD , SNA3100L10NL , SNA3100L10NN , 5N60 , SNN060L10F , SNN060L10NL , SNN10R10LD , SNN10R10LF , SNN1120L10Q , SNN1530NL , SNN1830NL , SNN200L10D .

History: IRF6215LPBF | AOC3870A | 38N10A | HFS5N80 | HFS13N50U | TPA60R170MFD

 

 
Back to Top

 


 
.