SNN055N085D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SNN055N085D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 148 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 85 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1391 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для SNN055N085D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SNN055N085D даташит

 ..1. Size:708K  auk
 snn055n085d.pdf pdf_icon

SNN055N085D

SNN055N085D N-Ch Trench MOSFET Power Switching Application Features Drain-source breakdown voltage BV =85V DSS Low gate charge device D Low drain-source On resistance R =5.5m (Max.) DS(on) Advanced trench process technology High avalanche energy, 100% test G S Ordering Information TO-252 Part Number Marking Package SNN055N085D SNN055N085 T

Другие IGBT... SMK0780F, SMK1040F, SMK1065F, SMN03T80I, SMN0665FD, SMN630LD, SNA3100L10NL, SNA3100L10NN, IRLB4132, SNN060L10F, SNN060L10NL, SNN10R10LD, SNN10R10LF, SNN1120L10Q, SNN1530NL, SNN1830NL, SNN200L10D