SNN1120L10Q MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SNN1120L10Q

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 56 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm

Encapsulados: SOT-223

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SNN1120L10Q datasheet

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SNN1120L10Q

SNN1120L10Q Advanced N-Ch Trench MOSFET 100V Fast Switching MOSFETs Features Low On-state resistance 112m at V = 10V, I = 2A GS D Low gate charge Q = 26.2nC (Typ.) g High performance trench technology 100% avalanche tested D Halogen free and RoHS compliant device G Ordering Information D S Part Number Marking Package SOT-223 SNN1120L10Q

Otros transistores... SMN630LD, SNA3100L10NL, SNA3100L10NN, SNN055N085D, SNN060L10F, SNN060L10NL, SNN10R10LD, SNN10R10LF, SPP20N60C3, SNN1530NL, SNN1830NL, SNN200L10D, SNN300L06D, SNN3100L10D, SNN3100L10Q, SNN3100L15Q, SNN3530BNL