SNN1120L10Q - аналоги и даташиты транзистора

 

SNN1120L10Q - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SNN1120L10Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223
 

 Аналог (замена) для SNN1120L10Q

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SNN1120L10Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:519K  auk
 snn1120l10q.pdf pdf_icon

SNN1120L10Q

SNN1120L10Q Advanced N-Ch Trench MOSFET 100V Fast Switching MOSFETs Features Low On-state resistance: 112m at V = 10V, I = 2A GS D Low gate charge: Q = 26.2nC (Typ.) g High performance trench technology 100% avalanche tested D Halogen free and RoHS compliant device G Ordering Information D S Part Number Marking Package SOT-223 SNN1120L10Q

Другие MOSFET... SMN630LD , SNA3100L10NL , SNA3100L10NN , SNN055N085D , SNN060L10F , SNN060L10NL , SNN10R10LD , SNN10R10LF , AON7410 , SNN1530NL , SNN1830NL , SNN200L10D , SNN300L06D , SNN3100L10D , SNN3100L10Q , SNN3100L15Q , SNN3530BNL .

History: CS6N60A7H | IRFS3306 | SI2308DS-T1-GE3 | RRR040P03TL | IRFH4251DPBF | CS12N06AE-G | KI7N10DY

 

 
Back to Top

 


 
.