SNN1120L10Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SNN1120L10Q

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: SOT-223

Аналог (замена) для SNN1120L10Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SNN1120L10Q даташит

 ..1. Size:519K  auk
 snn1120l10q.pdf pdf_icon

SNN1120L10Q

SNN1120L10Q Advanced N-Ch Trench MOSFET 100V Fast Switching MOSFETs Features Low On-state resistance 112m at V = 10V, I = 2A GS D Low gate charge Q = 26.2nC (Typ.) g High performance trench technology 100% avalanche tested D Halogen free and RoHS compliant device G Ordering Information D S Part Number Marking Package SOT-223 SNN1120L10Q

Другие IGBT... SMN630LD, SNA3100L10NL, SNA3100L10NN, SNN055N085D, SNN060L10F, SNN060L10NL, SNN10R10LD, SNN10R10LF, SPP20N60C3, SNN1530NL, SNN1830NL, SNN200L10D, SNN300L06D, SNN3100L10D, SNN3100L10Q, SNN3100L15Q, SNN3530BNL