SNN200L10D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SNN200L10D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 49 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 279 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de SNN200L10D MOSFET
SNN200L10D Datasheet (PDF)
snn200l10d.pdf

SNN200L10D N-Ch Trench MOSFET Power Switching Application Features Drain-source breakdown voltage: BV =100V DSS Low gate charge device D Low drain-source On resistance: R =20m (Typ.) DS(on) Advanced trench process technology High avalanche energy, 100% test G Ordering Information S Part Number Marking Package TO-252 SNN200L10D SNN200L10 TO-
Otros transistores... SNN055N085D , SNN060L10F , SNN060L10NL , SNN10R10LD , SNN10R10LF , SNN1120L10Q , SNN1530NL , SNN1830NL , TK10A60D , SNN300L06D , SNN3100L10D , SNN3100L10Q , SNN3100L15Q , SNN3530BNL , SNN3530NL , SNP130L04F , SNP250L06F .
History: ME2303 | PJL9418 | FDBL9406L-F085
History: ME2303 | PJL9418 | FDBL9406L-F085



Liste
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