SNN200L10D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SNN200L10D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 49 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 279 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm

Encapsulados: TO-252

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SNN200L10D datasheet

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SNN200L10D

SNN200L10D N-Ch Trench MOSFET Power Switching Application Features Drain-source breakdown voltage BV =100V DSS Low gate charge device D Low drain-source On resistance R =20m (Typ.) DS(on) Advanced trench process technology High avalanche energy, 100% test G Ordering Information S Part Number Marking Package TO-252 SNN200L10D SNN200L10 TO-

Otros transistores... SNN055N085D, SNN060L10F, SNN060L10NL, SNN10R10LD, SNN10R10LF, SNN1120L10Q, SNN1530NL, SNN1830NL, 13N50, SNN300L06D, SNN3100L10D, SNN3100L10Q, SNN3100L15Q, SNN3530BNL, SNN3530NL, SNP130L04F, SNP250L06F