SNN200L10D Todos los transistores

 

SNN200L10D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SNN200L10D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 49 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 279 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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SNN200L10D Datasheet (PDF)

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SNN200L10D

SNN200L10D N-Ch Trench MOSFET Power Switching Application Features Drain-source breakdown voltage: BV =100V DSS Low gate charge device D Low drain-source On resistance: R =20m (Typ.) DS(on) Advanced trench process technology High avalanche energy, 100% test G Ordering Information S Part Number Marking Package TO-252 SNN200L10D SNN200L10 TO-

Otros transistores... SNN055N085D , SNN060L10F , SNN060L10NL , SNN10R10LD , SNN10R10LF , SNN1120L10Q , SNN1530NL , SNN1830NL , TK10A60D , SNN300L06D , SNN3100L10D , SNN3100L10Q , SNN3100L15Q , SNN3530BNL , SNN3530NL , SNP130L04F , SNP250L06F .

History: SMN03T80IS | IRFPF40 | SMG2306NE | 2SK1853 | PJL9418 | RU20N65P | OSG55R140FF

 

 
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