Справочник MOSFET. SNN200L10D

 

SNN200L10D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SNN200L10D
   Маркировка: SNN200L10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 49 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 30.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 29 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 279 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SNN200L10D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:614K  auk
 snn200l10d.pdf pdf_icon

SNN200L10D

SNN200L10D N-Ch Trench MOSFET Power Switching Application Features Drain-source breakdown voltage: BV =100V DSS Low gate charge device D Low drain-source On resistance: R =20m (Typ.) DS(on) Advanced trench process technology High avalanche energy, 100% test G Ordering Information S Part Number Marking Package TO-252 SNN200L10D SNN200L10 TO-

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SP8076EL | NCEP12T10F

 

 
Back to Top

 


 
.