Справочник MOSFET. SNN200L10D

 

SNN200L10D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SNN200L10D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 49 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 279 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для SNN200L10D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SNN200L10D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:614K  auk
 snn200l10d.pdf pdf_icon

SNN200L10D

SNN200L10D N-Ch Trench MOSFET Power Switching Application Features Drain-source breakdown voltage: BV =100V DSS Low gate charge device D Low drain-source On resistance: R =20m (Typ.) DS(on) Advanced trench process technology High avalanche energy, 100% test G Ordering Information S Part Number Marking Package TO-252 SNN200L10D SNN200L10 TO-

Другие MOSFET... SNN055N085D , SNN060L10F , SNN060L10NL , SNN10R10LD , SNN10R10LF , SNN1120L10Q , SNN1530NL , SNN1830NL , TK10A60D , SNN300L06D , SNN3100L10D , SNN3100L10Q , SNN3100L15Q , SNN3530BNL , SNN3530NL , SNP130L04F , SNP250L06F .

History: RUH120N140T | SMG2340NE

 

 
Back to Top

 


 
.