SNN200L10D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SNN200L10D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 49 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 279 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для SNN200L10D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SNN200L10D даташит

 ..1. Size:614K  auk
 snn200l10d.pdf pdf_icon

SNN200L10D

SNN200L10D N-Ch Trench MOSFET Power Switching Application Features Drain-source breakdown voltage BV =100V DSS Low gate charge device D Low drain-source On resistance R =20m (Typ.) DS(on) Advanced trench process technology High avalanche energy, 100% test G Ordering Information S Part Number Marking Package TO-252 SNN200L10D SNN200L10 TO-

Другие IGBT... SNN055N085D, SNN060L10F, SNN060L10NL, SNN10R10LD, SNN10R10LF, SNN1120L10Q, SNN1530NL, SNN1830NL, 13N50, SNN300L06D, SNN3100L10D, SNN3100L10Q, SNN3100L15Q, SNN3530BNL, SNN3530NL, SNP130L04F, SNP250L06F