SUN82A20CI Todos los transistores

 

SUN82A20CI MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SUN82A20CI
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 198 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 82 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 73 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 984 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3P
 

 Búsqueda de reemplazo de SUN82A20CI MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SUN82A20CI datasheet

 ..1. Size:464K  auk
 sun82a20ci.pdf pdf_icon

SUN82A20CI

SUN82A20CI Advanced N-Ch Power MOSFET SWITCHING REGULATOR APPLICATION Features Drain-Source breakdown voltage BV =200V (Min.) DSS Low gate charge Q =145nC (Typ.) g Low drain-source On resistance R =23m (Max.) DS(on) 100% avalanche tested RoHS compliant device Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-3P SUN82A20CI SUN82A20 TO... See More ⇒

Otros transistores... SRN1860F , SRN1860FD , SRN1865FD , SUN05A25F , SUN05A50ZD , SUN05A50ZF , SUN09A40D , SUN50A20CI , SI2302 , SUN830D , SUN830DN , SUN830F , SUN830I , QM1830M3 , AOCR33105E , AOCR35101E , AOCR36330 .

 

 
Back to Top

 


 
.