SUN82A20CI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SUN82A20CI
Código: SUN82A20
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 198 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 82 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 145 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 73 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 984 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-3P
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SUN82A20CI
SUN82A20CI Datasheet (PDF)
sun82a20ci.pdf
SUN82A20CI Advanced N-Ch Power MOSFET SWITCHING REGULATOR APPLICATION Features Drain-Source breakdown voltage BV =200V (Min.) DSS Low gate charge Q =145nC (Typ.) g Low drain-source On resistance R =23m (Max.) DS(on) 100% avalanche tested RoHS compliant device Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-3P SUN82A20CI SUN82A20 TO
Otros transistores... SRN1860F , SRN1860FD , SRN1865FD , SUN05A25F , SUN05A50ZD , SUN05A50ZF , SUN09A40D , SUN50A20CI , SI2302 , SUN830D , SUN830DN , SUN830F , SUN830I , QM1830M3 , AOCR33105E , AOCR35101E , AOCR36330 .
Liste
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