SUN82A20CI Todos los transistores

 

SUN82A20CI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SUN82A20CI
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 198 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 82 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 73 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 984 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3P
     - Selección de transistores por parámetros

 

SUN82A20CI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:464K  auk
 sun82a20ci.pdf pdf_icon

SUN82A20CI

SUN82A20CI Advanced N-Ch Power MOSFET SWITCHING REGULATOR APPLICATION Features Drain-Source breakdown voltage: BV =200V (Min.) DSS Low gate charge: Q =145nC (Typ.) g Low drain-source On resistance: R =23m (Max.) DS(on) 100% avalanche tested RoHS compliant device Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-3P SUN82A20CI SUN82A20 TO

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: TK40P04M1 | SMP40N10 | RUH1H150R-A | DMC2041UFDB | AP2306AGEN | IXFN64N60P | IRF624A

 

 
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