Справочник MOSFET. SUN82A20CI

 

SUN82A20CI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SUN82A20CI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 198 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 82 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 73 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 984 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
 

 Аналог (замена) для SUN82A20CI

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SUN82A20CI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:464K  auk
 sun82a20ci.pdf pdf_icon

SUN82A20CI

SUN82A20CI Advanced N-Ch Power MOSFET SWITCHING REGULATOR APPLICATION Features Drain-Source breakdown voltage: BV =200V (Min.) DSS Low gate charge: Q =145nC (Typ.) g Low drain-source On resistance: R =23m (Max.) DS(on) 100% avalanche tested RoHS compliant device Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-3P SUN82A20CI SUN82A20 TO

Другие MOSFET... SRN1860F , SRN1860FD , SRN1865FD , SUN05A25F , SUN05A50ZD , SUN05A50ZF , SUN09A40D , SUN50A20CI , IRFZ46N , SUN830D , SUN830DN , SUN830F , SUN830I , QM1830M3 , AOCR33105E , AOCR35101E , AOCR36330 .

History: WMS08N06TS | RQ3E100MN | 2N6796JANTXV

 

 
Back to Top

 


 
.