AOCR33105E Todos los transistores

 

AOCR33105E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOCR33105E
   Código: P*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 21 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 3600 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
   Paquete / Cubierta: CSP2.08X1.45-10L
     - Selección de transistores por parámetros

 

AOCR33105E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:758K  aosemi
 aocr33105e.pdf pdf_icon

AOCR33105E

AOCR33105E12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET technology 12V Ultra low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and safety RSS(ON) (at VGS=4.5V)

 9.1. Size:590K  aosemi
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AOCR33105E

AOCR35101E12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET technology 12V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and RSS(ON) (at VGS=4.5V)

 9.2. Size:670K  aosemi
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AOCR33105E

AOCR3232630V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET technology 30V Low RSS(ON) Common drain configuration for design simplicity RSS(ON) (at VGS=10V)

 9.3. Size:670K  aosemi
 aocr36330.pdf pdf_icon

AOCR33105E

AOCR3633030V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET technology 30V Low RSS(ON) Common drain configuration for design simplicity RSS(ON) (at VGS=10V)

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History: FDS6570A | SI4459ADY | FSF055R | AOT8N80

 

 
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