AOCR33105E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOCR33105E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3600 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm

Тип корпуса: CSP2.08X1.45-10L

Аналог (замена) для AOCR33105E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOCR33105E даташит

 ..1. Size:758K  aosemi
 aocr33105e.pdf pdf_icon

AOCR33105E

AOCR33105E 12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET technology 12V Ultra low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and safety RSS(ON) (at VGS=4.5V)

 9.1. Size:590K  aosemi
 aocr35101e.pdf pdf_icon

AOCR33105E

AOCR35101E 12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET technology 12V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and RSS(ON) (at VGS=4.5V)

 9.2. Size:670K  aosemi
 aocr32326.pdf pdf_icon

AOCR33105E

AOCR32326 30V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET technology 30V Low RSS(ON) Common drain configuration for design simplicity RSS(ON) (at VGS=10V)

 9.3. Size:670K  aosemi
 aocr36330.pdf pdf_icon

AOCR33105E

AOCR36330 30V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET technology 30V Low RSS(ON) Common drain configuration for design simplicity RSS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SUN09A40D, SUN50A20CI, SUN82A20CI, SUN830D, SUN830DN, SUN830F, SUN830I, QM1830M3, STF13NM60N, AOCR35101E, AOCR36330, AOCR32326, AOCA32112E, AOCA32116E, AOCA24108E, AOCA32106E, AOCA72114