AOCR32326 Todos los transistores

 

AOCR32326 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOCR32326
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0026 Ohm
   Paquete / Cubierta: CSP6X2.5-8
 

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AOCR32326 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:670K  aosemi
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AOCR32326

AOCR3232630V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET technology 30V Low RSS(ON) Common drain configuration for design simplicity RSS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:590K  aosemi
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AOCR32326

AOCR35101E12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET technology 12V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and RSS(ON) (at VGS=4.5V)

 9.2. Size:758K  aosemi
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AOCR32326

AOCR33105E12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET technology 12V Ultra low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and safety RSS(ON) (at VGS=4.5V)

 9.3. Size:670K  aosemi
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AOCR32326

AOCR3633030V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET technology 30V Low RSS(ON) Common drain configuration for design simplicity RSS(ON) (at VGS=10V)

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History: IRFP250M | JCS8N60VC | CS4N80A4HD-G | SLP170C04D | WST3401 | IPP80N04S3-06 | NCE8651Q

 

 
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