AOCR32326 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AOCR32326
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.75 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 80 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm
Тип корпуса: CSP6X2.5-8
AOCR32326 Datasheet (PDF)
aocr32326.pdf
AOCR3232630V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET technology 30V Low RSS(ON) Common drain configuration for design simplicity RSS(ON) (at VGS=10V)
aocr35101e.pdf
AOCR35101E12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET technology 12V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and RSS(ON) (at VGS=4.5V)
aocr33105e.pdf
AOCR33105E12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET technology 12V Ultra low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and safety RSS(ON) (at VGS=4.5V)
aocr36330.pdf
AOCR3633030V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET technology 30V Low RSS(ON) Common drain configuration for design simplicity RSS(ON) (at VGS=10V)
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918