AONT21313C Todos los transistores

 

AONT21313C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AONT21313C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X2-6L
 

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AONT21313C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:563K  aosemi
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AONT21313C

AONT21313C30V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -7.4A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

Otros transistores... AOCA72114 , AOCA32301 , AOCA24106C , AOCA24106E , AOCA33103E , AOCA33104A , AOCA33104E , AOCA72104E , 8N60 , AONT32136C , AOC3870A , AOCA32107E , AOC3870C , AOCA32108E , AOCA35212E , AOC3860A , AOC3860C .

History: KX10N60F | IRF7815 | KIA20N50H-247 | IRF300P226 | JFPC20N50C | FDMC612PZ | IRLML5103PBF

 

 
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