AONT21313C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AONT21313C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm

Encapsulados: DFN2X2-6L

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AONT21313C datasheet

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AONT21313C

AONT21313C 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -7.4A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

Otros transistores... AOCA72114, AOCA32301, AOCA24106C, AOCA24106E, AOCA33103E, AOCA33104A, AOCA33104E, AOCA72104E, IRFB7545, AONT32136C, AOC3870A, AOCA32107E, AOC3870C, AOCA32108E, AOCA35212E, AOC3860A, AOC3860C