AONT21313C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AONT21313C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN2X2-6L
Búsqueda de reemplazo de AONT21313C MOSFET
AONT21313C Datasheet (PDF)
aont21313c.pdf

AONT21313C30V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -7.4A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)
Otros transistores... AOCA72114 , AOCA32301 , AOCA24106C , AOCA24106E , AOCA33103E , AOCA33104A , AOCA33104E , AOCA72104E , IRF520 , AONT32136C , AOC3870A , AOCA32107E , AOC3870C , AOCA32108E , AOCA35212E , AOC3860A , AOC3860C .
History: AP4813GSM-HF | ME7170 | STL120N2VH5 | 2SK3821 | STD16NF06LT4 | HX2302 | 2SK1039
History: AP4813GSM-HF | ME7170 | STL120N2VH5 | 2SK3821 | STD16NF06LT4 | HX2302 | 2SK1039



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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