AONT21313C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONT21313C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm

Тип корпуса: DFN2X2-6L

Аналог (замена) для AONT21313C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONT21313C даташит

 ..1. Size:563K  aosemi
 aont21313c.pdf pdf_icon

AONT21313C

AONT21313C 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -7.4A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

Другие IGBT... AOCA72114, AOCA32301, AOCA24106C, AOCA24106E, AOCA33103E, AOCA33104A, AOCA33104E, AOCA72104E, IRFB7545, AONT32136C, AOC3870A, AOCA32107E, AOC3870C, AOCA32108E, AOCA35212E, AOC3860A, AOC3860C