Справочник MOSFET. AONT21313C

 

AONT21313C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AONT21313C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2-6L
 

 Аналог (замена) для AONT21313C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONT21313C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:563K  aosemi
 aont21313c.pdf pdf_icon

AONT21313C

AONT21313C30V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -7.4A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

Другие MOSFET... AOCA72114 , AOCA32301 , AOCA24106C , AOCA24106E , AOCA33103E , AOCA33104A , AOCA33104E , AOCA72104E , 8N60 , AONT32136C , AOC3870A , AOCA32107E , AOC3870C , AOCA32108E , AOCA35212E , AOC3860A , AOC3860C .

History: IRFU3303PBF | MSK30N03DF | SHD225604 | SFF60P05Z | IRLML5103PBF | SQM50020EL

 

 
Back to Top

 


 
.