AOCA32108E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOCA32108E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3000 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0038 Ohm

Encapsulados: DFN3.01X1.52B-10L

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AOCA32108E datasheet

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AOCA32108E

AOCA32108E 12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET technology 12V Ultra low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and safety RSS(ON) (at VGS=4.5V)

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AOCA32108E

AOCA32107E 12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET technology 12V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and safety RSS(ON) (at VGS=4.5V)

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AOCA32108E

AOCA32106E 12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET Technology 12V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and RSS(ON) (at VGS=4.5V)

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AOCA32108E

AOCA32112E 20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET technology 20V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and safety RSS(ON) (at VGS=4.5V)

Otros transistores... AOCA33104A, AOCA33104E, AOCA72104E, AONT21313C, AONT32136C, AOC3870A, AOCA32107E, AOC3870C, MMIS60R580P, AOCA35212E, AOC3860A, AOC3860C, AOCA33102E, AOCA36116C, AOCA32317, AONR30310, AONR32318