AOCA32108E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AOCA32108E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3000 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0038 Ohm
Encapsulados: DFN3.01X1.52B-10L
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AOCA32108E datasheet
aoca32108e.pdf
AOCA32108E 12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET technology 12V Ultra low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and safety RSS(ON) (at VGS=4.5V)
aoca32107e.pdf
AOCA32107E 12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET technology 12V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and safety RSS(ON) (at VGS=4.5V)
aoca32106e.pdf
AOCA32106E 12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET Technology 12V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and RSS(ON) (at VGS=4.5V)
aoca32112e.pdf
AOCA32112E 20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET technology 20V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and safety RSS(ON) (at VGS=4.5V)
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History: AOC3860A
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Liste
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