AOCA32108E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOCA32108E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3000 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm

Тип корпуса: DFN3.01X1.52B-10L

Аналог (замена) для AOCA32108E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOCA32108E даташит

 ..1. Size:793K  aosemi
 aoca32108e.pdf pdf_icon

AOCA32108E

AOCA32108E 12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET technology 12V Ultra low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and safety RSS(ON) (at VGS=4.5V)

 6.1. Size:602K  aosemi
 aoca32107e.pdf pdf_icon

AOCA32108E

AOCA32107E 12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET technology 12V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and safety RSS(ON) (at VGS=4.5V)

 6.2. Size:772K  aosemi
 aoca32106e.pdf pdf_icon

AOCA32108E

AOCA32106E 12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET Technology 12V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and RSS(ON) (at VGS=4.5V)

 7.1. Size:590K  aosemi
 aoca32112e.pdf pdf_icon

AOCA32108E

AOCA32112E 20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET technology 20V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and safety RSS(ON) (at VGS=4.5V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AOCA33104A, AOCA33104E, AOCA72104E, AONT21313C, AONT32136C, AOC3870A, AOCA32107E, AOC3870C, MMIS60R580P, AOCA35212E, AOC3860A, AOC3860C, AOCA33102E, AOCA36116C, AOCA32317, AONR30310, AONR32318