AOCA35212E MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

AOCA35212E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOCA35212E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 24 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3600 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm

Encapsulados: DFN3.03X3.03-14L

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

AOCA35212E datasheet

..1. Size:770K aosemi
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AOCA35212E 24V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET technology 24V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and RSS(ON) (at VGS=10V)

9.1. Size:590K aosemi
aoca32112e.pdf pdf_icon

AOCA32112E 20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET technology 20V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and safety RSS(ON) (at VGS=4.5V)

9.2. Size:732K aosemi
aoca32317.pdf pdf_icon

AOCA32317 30V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET technology 30V Low RSS(ON) ESD protection RSS(ON) (at VGS=10V)

9.3. Size:761K aosemi
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AOCA33103E 12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET technology 12V Ultra low RSS(ON) Common drain configuration for design simplicity RSS(ON) (at VGS=4.5V)