AOCA35212E - описание и поиск аналогов

 

AOCA35212E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOCA35212E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 24 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3600 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm

Тип корпуса: DFN3.03X3.03-14L

Аналог (замена) для AOCA35212E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOCA35212E даташит

 ..1. Size:770K  aosemi
aoca35212e.pdfpdf_icon

AOCA35212E

AOCA35212E 24V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET technology 24V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and RSS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:590K  aosemi
aoca32112e.pdfpdf_icon

AOCA35212E

AOCA32112E 20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET technology 20V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and safety RSS(ON) (at VGS=4.5V)

 9.2. Size:732K  aosemi
aoca32317.pdfpdf_icon

AOCA35212E

AOCA32317 30V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET technology 30V Low RSS(ON) ESD protection RSS(ON) (at VGS=10V)

 9.3. Size:761K  aosemi
aoca33103e.pdfpdf_icon

AOCA35212E

AOCA33103E 12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET technology 12V Ultra low RSS(ON) Common drain configuration for design simplicity RSS(ON) (at VGS=4.5V)

Другие MOSFET... AOCA33104E , AOCA72104E , AONT21313C , AONT32136C , AOC3870A , AOCA32107E , AOC3870C , AOCA32108E , AOD4184A , AOC3860A , AOC3860C , AOCA33102E , AOCA36116C , AOCA32317 , AONR30310 , AONR32318 , AONR34332C .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.