AONR30310 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AONR30310
Código: 30310
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 69 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 190 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.65 VQgⓘ - Carga de la puerta: 102 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1580 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0012 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN3.3X3.3-8L
AONR30310 Datasheet (PDF)
aonr30310.pdf

AONR3031030V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 190A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
aonr32340c.pdf

AONR32340C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
aonr36321.pdf

AONR3632130V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 80A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
aonr34332c.pdf

AONR34332C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary Trench Power MOSFET technologyVDS30V Low RDS(ON) at 2.5V VGS ID (at VGS=10V) 100A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
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History: 2SK2677
History: 2SK2677



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