AONR30310 - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

AONR30310. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONR30310

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 190 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1580 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0012 Ohm

Тип корпуса: DFN3.3X3.3-8L

Аналог (замена) для AONR30310

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

AONR30310 даташит

..1. Size:408K aosemi
aonr30310.pdf pdf_icon

AONR30310 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 190A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

9.1. Size:533K 1
aonr32340c.pdf pdf_icon

AONR32340C 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

9.2. Size:371K aosemi
aonr36321.pdf pdf_icon

AONR36321 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 80A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

9.3. Size:844K aosemi
aonr34332c.pdf pdf_icon

AONR34332C 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary Trench Power MOSFET technology VDS 30V Low RDS(ON) at 2.5V VGS ID (at VGS=10V) 100A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)