Справочник MOSFET. AONR30310

 

AONR30310 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AONR30310
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 190 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1580 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0012 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3-8L
 

 Аналог (замена) для AONR30310

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONR30310 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:408K  aosemi
 aonr30310.pdf pdf_icon

AONR30310

AONR3031030V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 190A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:533K  1
 aonr32340c.pdf pdf_icon

AONR30310

AONR32340C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:371K  aosemi
 aonr36321.pdf pdf_icon

AONR30310

AONR3632130V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 80A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.3. Size:844K  aosemi
 aonr34332c.pdf pdf_icon

AONR30310

AONR34332C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary Trench Power MOSFET technologyVDS30V Low RDS(ON) at 2.5V VGS ID (at VGS=10V) 100A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AOC3870C , AOCA32108E , AOCA35212E , AOC3860A , AOC3860C , AOCA33102E , AOCA36116C , AOCA32317 , IRFZ44N , AONR32318 , AONR34332C , AONR36321 , AONR62921 , AONR66820 , AONR66821 , AONR66922 , AONE38132 .

History: PSMN011-100YSF | 12N70KG-TA3-T | SM9926

 

 
Back to Top

 


 
.