AONR34332C MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

AONR34332C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AONR34332C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1450 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0016 Ohm

Encapsulados: DFN3.3X3.3-8L

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AONR34332C datasheet

..1. Size:844K aosemi
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AONR34332C 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary Trench Power MOSFET technology VDS 30V Low RDS(ON) at 2.5V VGS ID (at VGS=10V) 100A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

9.1. Size:533K 1
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AONR32340C 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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AONR36321 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 80A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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AONR30310 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 190A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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