Справочник MOSFET. AONR34332C

 

AONR34332C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AONR34332C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1450 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0016 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3-8L
 

 Аналог (замена) для AONR34332C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONR34332C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:844K  aosemi
 aonr34332c.pdf pdf_icon

AONR34332C

AONR34332C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary Trench Power MOSFET technologyVDS30V Low RDS(ON) at 2.5V VGS ID (at VGS=10V) 100A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:533K  1
 aonr32340c.pdf pdf_icon

AONR34332C

AONR32340C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:371K  aosemi
 aonr36321.pdf pdf_icon

AONR34332C

AONR3632130V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 80A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.3. Size:408K  aosemi
 aonr30310.pdf pdf_icon

AONR34332C

AONR3031030V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 190A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AOCA35212E , AOC3860A , AOC3860C , AOCA33102E , AOCA36116C , AOCA32317 , AONR30310 , AONR32318 , IRF740 , AONR36321 , AONR62921 , AONR66820 , AONR66821 , AONR66922 , AONE38132 , AONP36332 , AONP36336 .

History: 14N50G-TF1-T | 2SK4059MFV | SQ3456BEV | 2SK4073LS | 12N80G-T47-T

 

 
Back to Top

 


 
.