AONR62921 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AONR62921
   Código: 62921
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 35 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 3.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0102 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3.3X3.3-8L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AONR62921

AONR62921 Datasheet (PDF)

..1. Size:715K aosemi
aonr62921.pdf

AONR62921100V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 50A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

8.1. Size:336K aosemi
aonr62818.pdf

AONR62818TM80V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS80V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 50A Best in Class Low RDS(ON) Low Switching Loss RDS(ON) (at VGS=10V)

9.1. Size:483K aosemi
aonr66620.pdf

AONR66620TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 24A Low RDS(ON) Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product(FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

9.2. Size:442K aosemi
aonr66821.pdf

AONR66821TM80V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS80V Trench Power AlphaSGTTM technology 80V ID (at VGS=10V) 93A Low RDS(ON) Excellent QG x RDS(ON) Product (FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

9.3. Size:806K aosemi
aonr66922.pdf

AONR66922TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 80A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

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AONR66924TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 32A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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aonr66820.pdf

AONR66820TM80V N-Channel AlphaSGT2General Description Product SummaryVDS80V Trench Power MOSFET - AlphaSGT2TM technology 80V ID (at VGS=10V) 50A Low RDS(ON) Excellent Qg x RDS(ON) Product (FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

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AONR66406TM40V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS40V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 30A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: