AONR62921. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONR62921

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0102 Ohm

Тип корпуса: DFN3.3X3.3-8L

Аналог (замена) для AONR62921

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONR62921 даташит

 ..1. Size:715K  aosemi
 aonr62921.pdf pdf_icon

AONR62921

AONR62921 100V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 50A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:293K  aosemi
 aonr62992.pdf pdf_icon

AONR62921

AONR62992 100V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 50A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:336K  aosemi
 aonr62818.pdf pdf_icon

AONR62921

AONR62818 TM 80V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 80V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 50A Best in Class Low RDS(ON) Low Switching Loss RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:483K  aosemi
 aonr66620.pdf pdf_icon

AONR62921

AONR66620 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 24A Low RDS(ON) Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product(FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AOC3860C, AOCA33102E, AOCA36116C, AOCA32317, AONR30310, AONR32318, AONR34332C, AONR36321, 20N60, AONR66820, AONR66821, AONR66922, AONE38132, AONP36332, AONP36336, AONP36320, AONP38324