AONE38132 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AONE38132

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 134 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm

Encapsulados: DFN3.3X3.3A-8L

 Búsqueda de reemplazo de AONE38132 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AONE38132 datasheet

 ..1. Size:693K  aosemi
 aone38132.pdf pdf_icon

AONE38132

AONE38132 25V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 25V 25V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 60A 134A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:436K  aosemi
 aone36182.pdf pdf_icon

AONE38132

AONE36182 25V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 25V 25V Bottom Source Technology Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 17A 34A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:436K  aosemi
 aone36132.pdf pdf_icon

AONE38132

AONE36132 25V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 25V 25V Bottom Source Technology Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 17A 34A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... AONR30310, AONR32318, AONR34332C, AONR36321, AONR62921, AONR66820, AONR66821, AONR66922, IRFP460, AONP36332, AONP36336, AONP36320, AONP38324, AONP36332U, AONP38324U, AOCA36102E, AOC3878